氮化铝镀膜的镀膜方法

一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法

【技术领域】

[0001]本发明涉及一种镀膜方法，具体地说是一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法。

【背景技术】

[0002]近几十年来，随着集成电子技术的提高，电子器件，如微波器件、LED芯片等，都在朝着高密度，高集成和高功率的方向发展。电子器件的功率和封装集成度越来越高，所产生的热量也在不断增加，如果不能很好的解决器件的散热问题，就会严重的影响到器件的使用效率和寿命。因此，性能优良的散热基板是电子封装中必不可少的，而氮化铝(AlN)陶瓷具有高导热系数，线膨胀系数与常规芯片(如LED芯片)相匹配，绝缘性好等优点，能很好的符合大功率芯片和高密度集成的封装要求。

[0003]目前，陶瓷基板金属化的方法主要有低温共烧多层陶瓷(LTCC)，高温共烧多层陶瓷(HTCC)，直接覆铜法(DBC法)和直接镀铜法(DPC法)。直接镀铜法(DPC法)是近些年来发展最快的方法，它的工艺稳定，易于控制，成品合格率高。其应用在Al2O3陶瓷基板的金属化中获得了很大的成功，制备的Al2O3陶瓷封装支架有很大的优点:金属铜箔与陶瓷结合力高，散热能力强。但金属铜与Al2O3陶瓷基板之间存在过渡层(即金属氧化物，如Cu2O),增加了封装基板的热阻，降低了其散热性能。而对AlN基板进行金属化时，为了获得金属与陶瓷基板良好结合力的封装支架，必须事先对AlN陶瓷表面进行氧等离子处理，使其表面形成一层Al2O3薄层，再重复Al2O3陶瓷基板金属化的工艺步骤。除了高热阻的金属氧化层(如Cu2O)会降低AlN陶瓷支架的散热性能外，热导率比AlN陶瓷基板低7-8倍的Al2O3薄层的引入也会严重降低整个封装支架的导热和散热性能。并且，以这种金属化工艺制备的AlN陶瓷基板的金属和陶瓷之间的结合力要比Al2O3陶瓷基板的要差，还存在不稳定的问题。